A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Heavy-ion induced single event effects and latent damages in SiC power MOSFETs (2022)


Martinella, C., Natzke, P., Alia, R.G., Kadi, Y., Niskanen, K., Rossi, M., Jaatinen, J., Kettunen, H., Tsibizov, A., Grossner, U., & Javanainen, A. (2022). Heavy-ion induced single event effects and latent damages in SiC power MOSFETs. Microelectronics Reliability, 128, Article 114423. https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114423


JYU-tekijät tai -toimittajat


Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Martinella, C.; Natzke, P.; Alia, R.G.; Kadi, Y.; Niskanen, K.; Rossi, M.; Jaatinen, J.; Kettunen, H.; Tsibizov, A.; Grossner, U.; et al.

Lehti tai sarja: Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

eISSN: 1872-941X

Julkaisuvuosi: 2022

Volyymi: 128

Artikkelinumero: 114423

Kustantaja: Elsevier

Julkaisumaa: Britannia

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114423

Julkaisun avoin saatavuus: Avoimesti saatavilla

Julkaisukanavan avoin saatavuus: Osittain avoin julkaisukanava

Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/78842

Julkaisu on rinnakkaistallennettu: https://cds.cern.ch/record/2791566


Tiivistelmä

The advantages of silicon carbide (SiC) power MOSFETs make this technology attractive for space, avionics and high-energy accelerator applications. However, the current commercial technologies are still susceptible to Single Event Effects (SEEs) and latent damages induced by the radiation environment. Two types of latent damage were experimentally observed in commercial SiC power MOSFETs exposed to heavy-ions. One is observed at bias voltages just below the degradation onset and it involves the gate oxide. The other damage type is observed at bias voltages below the Single Event Burnout (SEB) limit, and it is attributed to alterations of the SiC crystal-lattice. Focused ion beam (FIB) and scanning electron microscopy (SEM) were used to investigate the damage site. Finally, a summary of the different types of damage induced by the heavy ion in SiC MOSFETs is given as a function of the ion LET and operational bias.


YSO-asiasanat: säteilyfysiikka; ionisoiva säteily; puolijohteet; elektroniikkakomponentit; transistorit

Vapaat asiasanat: SiC MOSFETs; Heavy-ion; Latent damage; SEEs


Liittyvät organisaatiot

JYU-yksiköt:


OKM-raportointi: Kyllä

Alustava JUFO-taso: 1


Viimeisin päivitys 2021-01-12 klo 07:49