A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Atomic Layer Deposition of Intermetallic Fe4Zn9 Thin Films from Diethyl Zinc (2022)
Ghiyasi, R., Philip, A., Liu, J., Julin, J., Sajavaara, T., Nolan, M., & Karppinen, M. (2022). Atomic Layer Deposition of Intermetallic Fe4Zn9 Thin Films from Diethyl Zinc. Chemistry of Materials, 34(11), 5241-5248. https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.2c00907
JYU-tekijät tai -toimittajat
Julkaisun tiedot
Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Ghiyasi, Ramin; Philip, Anish; Liu, Ji; Julin, Jaakko; Sajavaara, Timo; Nolan, Michael; Karppinen, Maarit
Lehti tai sarja: Chemistry of Materials
ISSN: 0897-4756
eISSN: 1520-5002
Julkaisuvuosi: 2022
Ilmestymispäivä: 22.05.2022
Volyymi: 34
Lehden numero: 11
Artikkelin sivunumerot: 5241-5248
Kustantaja: American Chemical Society (ACS)
Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)
Julkaisun kieli: englanti
DOI: https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.2c00907
Julkaisun avoin saatavuus: Avoimesti saatavilla
Julkaisukanavan avoin saatavuus: Osittain avoin julkaisukanava
Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/81290
Tiivistelmä
We present a new type of atomic layer deposition (ALD) process for intermetallic thin films, where diethyl zinc (DEZ) serves as a coreactant. In our proof-of-concept study, FeCl3 is used as the second precursor. The FeCl3 + DEZ process yields in situ crystalline Fe4Zn9 thin films, where the elemental purity and Fe/Zn ratio are confirmed by time-of-flight elastic recoil detection analysis (TOF-ERDA), Rutherford backscattering spectrometry (RBS), atomic absorption spectroscopy (AAS), and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX) analyses. The film thickness is precisely controlled by the number of precursor supply cycles, as expected for an ALD process. The reaction mechanism is addressed by computational density functional theory (DFT) modeling. We moreover carry out preliminary tests with CuCl2 and Ni(thd)2 in combination with DEZ to confirm that these processes yield Cu–Zn and Ni–Zn thin films with DEZ as well. Thus, we envision an opening of a new ALD approach based on DEZ for intermetallic/metal alloy thin films.
YSO-asiasanat: atomikerroskasvatus; ohutkalvot; kalvot (tekniikka); fysiikka
Vapaat asiasanat: atomic layer deposition; deposition; energy; precursors; thin films
Liittyvät organisaatiot
OKM-raportointi: Kyllä
Raportointivuosi: 2022
JUFO-taso: 3
