A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Radiation hardness of czochralski silicon, float zone silicon and oxygenated float zone silicon studied by low energy protons (2004)

Härkönen, J., Tuovinen, E., Luukka, P., Tuominen, E., Lassila-Perini, K., Mehtälä, P., Nummela, S., Nysten, J., Zibellini, A., Li, Z., Fretwurst, E., Lindström, G., Stahl, J., Honniger, F., Eremin, V., Ivanov, A., Verbitskaya, E., Heikkilä, P., Ovchinnikov, V., . . . Virtanen, A. (2004). Radiation hardness of czochralski silicon, float zone silicon and oxygenated float zone silicon studied by low energy protons. Nucl. Instr. Meth. A 518,. https://doi.org/10.1016/j.nima.2003.11.018

JYU-tekijät tai -toimittajat

Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Härkönen, J.; Tuovinen, E.; Luukka, P.; Tuominen, E.; Lassila-Perini, K.; Mehtälä, P.; Nummela, Saara; Nysten, J.; Zibellini, A.; Li, Zhenyi; et al.

Lehti tai sarja: Nucl. Instr. Meth. A 518,

Julkaisuvuosi: 2004

Julkaisun kieli: suomi

DOI: https://doi.org/10.1016/j.nima.2003.11.018

Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin

Julkaisukanavan avoin saatavuus: 

Lisätietoja: J. Härkönen, E. Tuovinen, P. Luukka, E. Tuominen, K. Lassila-Perini, P. Mehtälä, S. Nummela, J. Nysten, A. Zibellini, Z. Li, E. Fretwurst, G. Lindström, J. Stahl, F. Honniger, V. Eremin, A. Ivanov, E. Verbitskaya, P. Heikkilä, V. Ovchinnikov, M. Yli-Koski, P. Laitinen, A. Pirojenko, I. Riihimäki, and A. Virtanen Radiation hardness of czochralski silicon, float zone silicon and oxygenated float zone silicon studied by low energy protons Nucl. Instr. Meth. A 518, 1-2 (2004) 346

Vapaat asiasanat: czochralski silicon

Liittyvät organisaatiot

OKM-raportointi: Kyllä

Alustava JUFO-taso: Not rated