A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Vacancy-impurity complexes and diffusion of Ga and Sn in intrinsic and p-doped germanium (2007)
Riihimäki, Iiro, Virtanen, Ari, Rinta-Anttila, S., Pusa, P., Räisänen, Jyrki, Collaboration, the.ISOLDE. (2007). Vacancy-impurity complexes and diffusion of Ga and Sn in intrinsic and p-doped germanium. Appl. Phys. Lett.. https://doi.org/10.1063/1.2778540
JYU-tekijät tai -toimittajat
Julkaisun tiedot
Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Riihimäki, Iiro; Virtanen, Ari; Rinta-Anttila, S.; Pusa, P.; Räisänen, Jyrki; Collaboration, the.ISOLDE.
Lehti tai sarja: Appl. Phys. Lett.
Julkaisuvuosi: 2007
Julkaisun kieli: englanti
DOI: https://doi.org/10.1063/1.2778540
Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin
Julkaisukanavan avoin saatavuus:
Lisätietoja: I. Riihimäki, A. Virtanen, S. Rinta-Anttila, P. Pusa, J. Räisänen and the ISOLDE Collaboration Vacancy-impurity complexes and diffusion of Ga and Sn in intrinsic and p-doped germanium Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 091922
Liittyvät organisaatiot
OKM-raportointi: Kyllä
Alustava JUFO-taso: Not rated