A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Vacancy-impurity complexes and diffusion of Ga and Sn in intrinsic and p-doped germanium (2007)


Riihimäki, Iiro, Virtanen, Ari, Rinta-Anttila, S., Pusa, P., Räisänen, Jyrki, Collaboration, the.ISOLDE. (2007). Vacancy-impurity complexes and diffusion of Ga and Sn in intrinsic and p-doped germanium. Appl. Phys. Lett.. https://doi.org/10.1063/1.2778540


JYU-tekijät tai -toimittajat


Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Riihimäki, Iiro; Virtanen, Ari; Rinta-Anttila, S.; Pusa, P.; Räisänen, Jyrki; Collaboration, the.ISOLDE.

Lehti tai sarja: Appl. Phys. Lett.

Julkaisuvuosi: 2007

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1063/1.2778540

Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin

Julkaisukanavan avoin saatavuus: 

Lisätietoja: I. Riihimäki, A. Virtanen, S. Rinta-Anttila, P. Pusa, J. Räisänen and the ISOLDE Collaboration Vacancy-impurity complexes and diffusion of Ga and Sn in intrinsic and p-doped germanium Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 091922


Tieteenalat:


Liittyvät organisaatiot

JYU-yksiköt:


OKM-raportointi: Kyllä

Alustava JUFO-taso: Not rated


Viimeisin päivitys 2023-14-12 klo 08:05