A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
AFM-sMIM Characterization of the Recombination-Enhancing Buffer Layer for Bipolar Degradation Free SiC MOSFETs (2024)


Germanicus, R. C., Phulpin, T., Niskanen, K., Michez, A., & Lüders, U. (2024). AFM-sMIM Characterization of the Recombination-Enhancing Buffer Layer for Bipolar Degradation Free SiC MOSFETs. Solid State Phenomena, 361, 85-91. https://doi.org/10.4028/p-hupmo0


JYU-tekijät tai -toimittajat


Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajatGermanicus, Rosine Coq; Phulpin, Tanguy; Niskanen, Kimmo; Michez, Alain; Lüders, Ulrike

Lehti tai sarjaSolid State Phenomena

ISSN1012-0394

eISSN1662-9779

Julkaisuvuosi2024

Ilmestymispäivä26.08.2024

Volyymi361

Artikkelin sivunumerot85-91

KustantajaTrans Tech Publications

JulkaisumaaSveitsi

Julkaisun kielienglanti

DOIhttps://doi.org/10.4028/p-hupmo0

Julkaisun avoin saatavuusAvoimesti saatavilla

Julkaisukanavan avoin saatavuusOsittain avoin julkaisukanava

Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX)https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/96786


Tiivistelmä

Due to the expansion of defects like single Shockley-type Stacking Faults inside the SiC epitaxial drift layer, during high current stress, classical SiC MOSFETs can be victims of the degradation of their electrical characteristics. The introduction of an epitaxial SiC buffer layer between the substrate and the n- drift epilayer, called recombination-enhancing buffer layer, was shown to avoid this degradation. In this paper, TCAD simulations of the electrical behavior of such a commercial SiC MOSFET device with varying buffer layer thickness are studied, indicating only small modifications of the electrical characteristics. These simulations are combined with the characterization of the local electrical properties using an AFM-sMIM technique, allowing to determine the real thickness of the different layers of the device. These measurements highlight an inhomogeneous conductivity in the SiC substrate, being probably compensated by the introduction of the SiC buffer layer.


YSO-asiasanatpuolijohteettransistoritmikroaallotmikroskopiaatomivoimamikroskopia

Vapaat asiasanatpower MOSFET; silicon carbide (SiC); bipolar degradation; AFM; sMIM


Liittyvät organisaatiot

JYU-yksiköt:


OKM-raportointiKyllä

VIRTA-lähetysvuosi2024

Alustava JUFO-taso1


Viimeisin päivitys 2024-14-10 klo 15:08