A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
AFM-sMIM Characterization of the Recombination-Enhancing Buffer Layer for Bipolar Degradation Free SiC MOSFETs (2024)
Germanicus, R. C., Phulpin, T., Niskanen, K., Michez, A., & Lüders, U. (2024). AFM-sMIM Characterization of the Recombination-Enhancing Buffer Layer for Bipolar Degradation Free SiC MOSFETs. Solid State Phenomena, 361, 85-91. https://doi.org/10.4028/p-hupmo0
JYU-tekijät tai -toimittajat
Julkaisun tiedot
Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Germanicus, Rosine Coq; Phulpin, Tanguy; Niskanen, Kimmo; Michez, Alain; Lüders, Ulrike
Lehti tai sarja: Solid State Phenomena
ISSN: 1012-0394
eISSN: 1662-9779
Julkaisuvuosi: 2024
Ilmestymispäivä: 26.08.2024
Volyymi: 361
Artikkelin sivunumerot: 85-91
Kustantaja: Trans Tech Publications
Julkaisumaa: Sveitsi
Julkaisun kieli: englanti
DOI: https://doi.org/10.4028/p-hupmo0
Julkaisun avoin saatavuus: Avoimesti saatavilla
Julkaisukanavan avoin saatavuus: Osittain avoin julkaisukanava
Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/96786
Tiivistelmä
Due to the expansion of defects like single Shockley-type Stacking Faults inside the SiC epitaxial drift layer, during high current stress, classical SiC MOSFETs can be victims of the degradation of their electrical characteristics. The introduction of an epitaxial SiC buffer layer between the substrate and the n- drift epilayer, called recombination-enhancing buffer layer, was shown to avoid this degradation. In this paper, TCAD simulations of the electrical behavior of such a commercial SiC MOSFET device with varying buffer layer thickness are studied, indicating only small modifications of the electrical characteristics. These simulations are combined with the characterization of the local electrical properties using an AFM-sMIM technique, allowing to determine the real thickness of the different layers of the device. These measurements highlight an inhomogeneous conductivity in the SiC substrate, being probably compensated by the introduction of the SiC buffer layer.
YSO-asiasanat: puolijohteet; transistorit; mikroaallot; mikroskopia; atomivoimamikroskopia
Vapaat asiasanat: power MOSFET; silicon carbide (SiC); bipolar degradation; AFM; sMIM
Liittyvät organisaatiot
OKM-raportointi: Kyllä
VIRTA-lähetysvuosi: 2024
Alustava JUFO-taso: 1