A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Alkylsilyl compounds as enablers of atomic layer deposition: analysis of (Et3Si)3As through the GaAs process (2016)

Sarnet, T., Hatanpää, T., Laitinen, M., Sajavaara, T., Mizohata, K., Ritala, M., & Leskelä, M. (2016). Alkylsilyl compounds as enablers of atomic layer deposition: analysis of (Et3Si)3As through the GaAs process. Journal of Materials Chemistry C, 4(3), 449-454. https://doi.org/10.1039/C5TC03079J

JYU-tekijät tai -toimittajat

Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Sarnet, Tiina; Hatanpää, Timo; Laitinen, Mikko; Sajavaara, Timo; Mizohata, Kenichiro; Ritala, Mikko; Leskelä, Markku

Lehti tai sarja: Journal of Materials Chemistry C

ISSN: 2050-7526

eISSN: 2050-7534

Julkaisuvuosi: 2016

Volyymi: 4

Lehden numero: 3

Artikkelin sivunumerot: 449-454

Kustantaja: RSC Publications

Julkaisumaa: Britannia

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1039/C5TC03079J

Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin

Julkaisukanavan avoin saatavuus: 

YSO-asiasanat: galliumarsenidi

Vapaat asiasanat: amorphous films; stoichiometric films; compound semiconductors

Liittyvät organisaatiot

OKM-raportointi: Kyllä

Raportointivuosi: 2016

JUFO-taso: 1