A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Heavy Ion Induced Degradation in SiC Schottky Diodes : Bias and Energy Deposition Dependence (2017)


Javanainen, A., Galloway, K. F., Nicklaw, C., Bosser, A., Ferlet-Cavrois, V., Lauenstein, J.-M., . . . Virtanen, A. (2017). Heavy Ion Induced Degradation in SiC Schottky Diodes : Bias and Energy Deposition Dependence. IEEE Transactions on Nuclear Science, 64 (1), 415-420. doi:10.1109/TNS.2016.2616921


JYU-tekijät tai -toimittajat


Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Javanainen, Arto; Galloway, Kenneth F.; Nicklaw, Christopher; Bosser, Alexandre; Ferlet-Cavrois, Véronique; Lauenstein, Jean-Marie; Pintacuda, Francesco; Reed, Robert A.; Schrimpf, Ronal D.; Weller, Robert A.; et al.

Lehti tai sarja: IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN: 0018-9499

Julkaisuvuosi: 2017

Volyymi: 64

Lehden numero: 1

Artikkelin sivunumerot: 415-420

Kustantaja: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2016.2616921

Avoin saatavuus: Julkaisukanava ei ole avoin

Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/53211


Vapaat asiasanat: current-voltage characteristics; ion radiation effects; modeling; power semiconductor devices; schottky diodes; silicon carbide


Liittyvät organisaatiot

JYU-yksiköt:


OKM-raportointi: Kyllä

Raportointivuosi: 2017

JUFO-taso: 1


Viimeisin päivitys 2021-22-02 klo 15:21