A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Ozone-Based Atomic Layer Deposition of Al2O3 from Dimethylaluminum Chloride and Its Impact on Silicon Surface Passivation (2017)

Bao, Y., Laitinen, M., Sajavaara, T., & Savin, H. (2017). Ozone-Based Atomic Layer Deposition of Al2O3 from Dimethylaluminum Chloride and Its Impact on Silicon Surface Passivation. Advanced Electronic Materials, 3(6), Article 1600491. https://doi.org/10.1002/aelm.201600491

JYU-tekijät tai -toimittajat

Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Bao, Yameng; Laitinen, Mikko; Sajavaara, Timo; Savin, Hele

Lehti tai sarja: Advanced Electronic Materials

ISSN: 2199-160X

eISSN: 2199-160X

Julkaisuvuosi: 2017

Volyymi: 3

Lehden numero: 6

Artikkelinumero: 1600491

Kustantaja: Wiley

Julkaisumaa: Saksa

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.201600491

Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin

Julkaisukanavan avoin saatavuus: 

Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/56099

Lisätietoja: Special Issue: Materials Platform at Aalto University

YSO-asiasanat: puolijohteet; otsoni

Vapaat asiasanat: dimetyylialumiinikloridi

Liittyvät organisaatiot

OKM-raportointi: Kyllä

VIRTA-lähetysvuosi: 2017

JUFO-taso: 0