A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Heavy-Ion-Induced Degradation in SiC Schottky Diodes : Incident Angle and Energy Deposition Dependence (2017)

Javanainen, A., Turowski, M., Galloway, K. F., Nicklaw, C., Ferlet-Cavrois, V., Bosser, A., Lauenstein, J.-M., Muschitiello, M., Pintacuda, F., Reed, R. A., Schrimpf, R. D., Weller, R. A., & Virtanen, A. (2017). Heavy-Ion-Induced Degradation in SiC Schottky Diodes : Incident Angle and Energy Deposition Dependence. IEEE Transactions on Nuclear Science, 64(8), 2031-2037. https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2717045

JYU-tekijät tai -toimittajat

Javanainen, Arto
Bosser, Alexandre
Virtanen, Ari

Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Javanainen, Arto; Turowski, Marek; Galloway, Kenneth F.; Nicklaw, Christopher; Ferlet-Cavrois, Véronique; Bosser, Alexandre; Lauenstein, Jean-Marie; Muschitiello, Michele; Pintacuda, Francesco; Reed, Robert A.; et al.

Lehti tai sarja: IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN: 0018-9499

eISSN: 1558-1578

Julkaisuvuosi: 2017

Volyymi: 64

Lehden numero: 8

Artikkelin sivunumerot: 2031-2037

Kustantaja: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Kustannuspaikka: Piscataway

Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2717045