A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Heavy-Ion-Induced Degradation in SiC Schottky Diodes : Incident Angle and Energy Deposition Dependence (2017)


Javanainen, A., Turowski, M., Galloway, K. F., Nicklaw, C., Ferlet-Cavrois, V., Bosser, A., . . . Virtanen, A. (2017). Heavy-Ion-Induced Degradation in SiC Schottky Diodes : Incident Angle and Energy Deposition Dependence. IEEE Transactions on Nuclear Science, 64 (8), 2031-2037. doi:10.1109/TNS.2017.2717045


JYU-tekijät tai -toimittajat


Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Javanainen, Arto; Turowski, Marek; Galloway, Kenneth F.; Nicklaw, Christopher; Ferlet-Cavrois, Véronique; Bosser, Alexandre; Lauenstein, Jean-Marie; Muschitiello, Michele; Pintacuda, Francesco; Reed, Robert A.; et al.

Lehti tai sarja: IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN: 0018-9499

Julkaisuvuosi: 2017

Volyymi: 64

Lehden numero: 8

Artikkelin sivunumerot: 2031-2037

Kustantaja: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Kustannuspaikka: Piscataway

Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2717045

Avoin saatavuus: Julkaisukanava ei ole avoin

Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/55216


YSO-asiasanat: ionit; pii; diodit; säteily; mallintaminen

Vapaat asiasanat: ion radiation effects; modeling; power semiconductor devices; schottky diodes; silicon carbide


Liittyvät organisaatiot

JYU-yksiköt:


OKM-raportointi: Kyllä

Raportointivuosi: 2017

JUFO-taso: 1


Viimeisin päivitys 2021-22-02 klo 15:26