A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
Incident angle effect on heavy ion induced reverse leakage current in SiC Schottky diodes (2016)

Javanainen, A., Galloway, K. F., Nicklaw, C., Turowski, M., Ferlet-Cavrois, V., Bosser, A., Lauenstein, J.-M., Pintacuda, F., Reed, R. A., Schrimpf, R. D., Weller, R. A., & Virtanen, A. (2016). Incident angle effect on heavy ion induced reverse leakage current in SiC Schottky diodes. In RADECS 2016 : Proceedings of the 16th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (pp. 1-4). IEEE. https://doi.org/10.1109/RADECS.2016.8093100

JYU-tekijät tai -toimittajat

Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Javanainen, Arto; Galloway, Kenneth F.; Nicklaw, Christopher; Turowski, Marek; Ferlet-Cavrois, Véronique; Bosser, Alexandre; Lauenstein, Jean-Marie; Pintacuda, Francesco; Reed, Robert A.; Schrimpf, Ronald D.; et al.

Emojulkaisu: RADECS 2016 : Proceedings of the 16th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems

ISBN: 978-1-5090-4366-8

Julkaisuvuosi: 2016

Artikkelin sivunumerot: 1-4

Kustantaja: IEEE

Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1109/RADECS.2016.8093100

Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin

Julkaisukanavan avoin saatavuus: 

Lisätietoja: RADECS 2016 : 16th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, September 19-23, 2016, Bremen, Germany.

Vapaat asiasanat: current-voltage characteristics; ion radiation effects; modeling; power semiconductor devices; Schottky diodes; silicon carbide

Liittyvät organisaatiot

OKM-raportointi: Kyllä

Raportointivuosi: 2017

JUFO-taso: 1