A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Molecular dynamics simulations of heavy ion induced defects in SiC Schottky diodes (2018)


Javanainen, A., Muinos, H. V., Nordlund, K., Galloway, K. F., Turowski, M., & Schrimpf, R. D. (2018). Molecular dynamics simulations of heavy ion induced defects in SiC Schottky diodes. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 18(3), 481-483. https://doi.org/10.1109/TDMR.2018.2842253


JYU-tekijät tai -toimittajat


Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Javanainen, Arto; Muinos, Henrique Vazquez; Nordlund, Kai; Galloway, Kenneth F.; Turowski, Marek; Schrimpf, Ronald D.

Lehti tai sarja: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

ISSN: 1530-4388

eISSN: 1558-2574

Julkaisuvuosi: 2018

Volyymi: 18

Lehden numero: 3

Artikkelin sivunumerot: 481-483

Kustantaja: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1109/TDMR.2018.2842253

Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin

Julkaisukanavan avoin saatavuus: 

Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/59634


YSO-asiasanat: ionit; ionisoiva säteily; mallintaminen; puolijohteet

Vapaat asiasanat: ion radiation effects; modeling; power semiconductor devices,; Schottky diodes; silicon carbide


Liittyvät organisaatiot

JYU-yksiköt:


OKM-raportointi: Kyllä

Raportointivuosi: 2018

JUFO-taso: 1


Viimeisin päivitys 2024-08-01 klo 17:45