A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Current Transport Mechanism for Heavy-Ion Degraded SiC MOSFETs (2019)

Martinella, C., Stark, R., Ziemann, T., Alia, R. G., Kadi, Y., Grossner, U., & Javanainen, A. (2019). Current Transport Mechanism for Heavy-Ion Degraded SiC MOSFETs. IEEE Transactions on Nuclear Science, 66(7), 1702-1709. https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2907669

JYU-tekijät tai -toimittajat

Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Martinella, Corinna; Stark, R.; Ziemann, T.; Alia, R. G.; Kadi, Y.; Grossner, U.; Javanainen, Arto

Lehti tai sarja: IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN: 0018-9499

eISSN: 1558-1578

Julkaisuvuosi: 2019

Volyymi: 66

Lehden numero: 7

Artikkelin sivunumerot: 1702-1709

Kustantaja: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2019.2907669

Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin

Julkaisukanavan avoin saatavuus: 

Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/65082

YSO-asiasanat: ionit; pilaantuminen; säteilyfysiikka; ionisoiva säteily; elektroniikkakomponentit; transistorit

Vapaat asiasanat: silicon carbide; MOSFET; radiation effects; logic gates; leakage currents; SiC power MOSFETs; heavy ion irradiation; gate leakage; single event effects

Liittyvät organisaatiot

OKM-raportointi: Kyllä

Raportointivuosi: 2019

JUFO-taso: 1