A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
A liquid alkoxide precursor for the atomic layer deposition of aluminum oxide films (2020)
Cao, L., Mattelaer, F., Sajavaara, T., Dendooven, J., & Detavernier, C. (2020). A liquid alkoxide precursor for the atomic layer deposition of aluminum oxide films. Journal of Vacuum Science and Technology A, 38(2), Article 022417. https://doi.org/10.1116/1.5139631
JYU-tekijät tai -toimittajat
Julkaisun tiedot
Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Cao, LiAo; Mattelaer, Felix; Sajavaara, Timo; Dendooven, Jolien; Detavernier, Christophe
Lehti tai sarja: Journal of Vacuum Science and Technology A
ISSN: 0734-2101
eISSN: 1520-8559
Julkaisuvuosi: 2020
Volyymi: 38
Lehden numero: 2
Artikkelinumero: 022417
Kustantaja: American Institute of Physics
Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)
Julkaisun kieli: englanti
DOI: https://doi.org/10.1116/1.5139631
Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin
Julkaisukanavan avoin saatavuus:
Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/67941
Tiivistelmä
For large-scale atomic layer deposition (ALD) of alumina, the most commonly used alkyl precursor trimethylaluminum poses safety issues due to its pyrophoric nature. In this work, the authors have investigated a liquid alkoxide, aluminum tri-sec-butoxide (ATSB), as a precursor for ALD deposition of alumina. ATSB is thermally stable and the liquid nature facilitates handling in a bubbler and potentially enables liquid injection toward upscaling. Both thermal and plasma enhanced ALD processes are investigated in a vacuum type reactor by using water, oxygen plasma, and water plasma as coreactants. All processes achieved ALD deposition at a growth rate of 1–1.4 Å/cycle for substrate temperatures ranging from 100 to 200 °C. Film morphology, surface roughness, and composition have been studied with different characterization techniques.
YSO-asiasanat: ohutkalvot; atomikerroskasvatus; alumiini
Vapaat asiasanat: plasma processing; atomic layer deposition
Liittyvät organisaatiot
OKM-raportointi: Kyllä
Raportointivuosi: 2020
JUFO-taso: 1