D3 Artikkeli ammatillisessa konferenssijulkaisussa
Reverse tip sample scanning for precise and high-throughput electrical characterization of advanced nodes (2019)
Celano, U., Hantschel, T., Boehme, T., Kanniainen, A., Wouters, L., Bender, H., Bosman, N., Drijbooms, C., Folkersma, S., Paredis, K., Vandervorst, W., & der Heide, P. V. (2019). Reverse tip sample scanning for precise and high-throughput electrical characterization of advanced nodes. In IEDM 2019 : International Electron Devices Meeting : Technical Digest (pp. 5.1.1-5.1.4). IEEE. https://doi.org/10.1109/IEDM19573.2019.8993661
JYU-tekijät tai -toimittajat
Julkaisun tiedot
Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Celano, U.; Hantschel, T.; Boehme, T.; Kanniainen, A.; Wouters, L.; Bender, H.; Bosman, N.; Drijbooms, C.; Folkersma, S.; Paredis, K.; et al.
Emojulkaisu: IEDM 2019 : International Electron Devices Meeting : Technical Digest
Konferenssi:
- Annual IEEE International Electron Devices Meeting
Konferenssin paikka ja aika: San Francisco, USA, 7.-11.12.2019
ISBN: 978-1-7281-4033-9
eISBN: 978-1-7281-4032-2
Julkaisuvuosi: 2019
Artikkelin sivunumerot: 5.1.1-5.1.4
Kustantaja: IEEE
Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)
Julkaisun kieli: englanti
DOI: https://doi.org/10.1109/IEDM19573.2019.8993661
Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin
Julkaisukanavan avoin saatavuus:
Tiivistelmä
A new method is proposed to enable high-throughput and high-resolution electrical atomic force microscopy in nanoelectronics. Using a reversed pathway of operation, our technique yields a shorter time-to-data (<10x), enhanced dataset statistics and nm-precise resolution; as herein demonstrated for two- and three-dimensional carrier profiling in fin structures of advanced nodes.
YSO-asiasanat: nanoelektroniikka; atomivoimamikroskopia
Liittyvät organisaatiot
OKM-raportointi: Kyllä
VIRTA-lähetysvuosi: 2020