A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Impact of Electrical Stress and Neutron Irradiation on Reliability of Silicon Carbide Power MOSFET (2020)

Niskanen, K., Touboul, A. D., Coq Germanicus, R., Michez, A., Javanainen, A., Wrobel, F., Boch, J., Pouget, V., & Saigne, F. (2020). Impact of Electrical Stress and Neutron Irradiation on Reliability of Silicon Carbide Power MOSFET. IEEE Transactions on Nuclear Science, 67(7), 1365-1373. https://doi.org/10.1109/TNS.2020.2983599

JYU-tekijät tai -toimittajat

Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Niskanen, K.; Touboul, A. D.; Coq Germanicus, R.; Michez, A.; Javanainen, A.; Wrobel, F.; Boch, J.; Pouget, V.; Saigne, F.

Lehti tai sarja: IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN: 0018-9499

eISSN: 1558-1578

Julkaisuvuosi: 2020

Volyymi: 67

Lehden numero: 7

Artikkelin sivunumerot: 1365-1373

Kustantaja: IEEE

Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.2983599

Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin

Julkaisukanavan avoin saatavuus: 

Tiivistelmä

The combined effects of electrical stress and neutron irradiation of the last generation of commercial discrete silicon carbide power MOSFETs are studied. The single-event burnout (SEB) sensitivity during neutron irradiation is analyzed for unstressed and electrically stressed devices. For surviving devices, a comprehensive study of the breakdown voltage degradation is performed by coupling the electrical stress and irradiation effects. In addition, mutual influences between electrical stress and radiative constraints are investigated through TCAD modeling.

YSO-asiasanat: neutronit; säteilyfysiikka; elektroniikkakomponentit

Vapaat asiasanat: radiation effects; stress; logic gates; silicon carbide; electric breakdown; MOSFET; atmospheric neutrons; power MOSFET; radiation effects; silicon carbide (SiC); single-event burnout (SEB)

Liittyvät organisaatiot

Hankkeet, joissa julkaisu on tehty

OKM-raportointi: Kyllä

Raportointivuosi: 2020

JUFO-taso: 1