A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
New Insight into Single-Event Radiation Failure Mechanisms in Silicon Carbide Power Schottky Diodes and MOSFETs (2020)

Witulski, A. F., Ball, D. R., Johnson, R. A., Galloway, K. F., Sternberg, A. L., Alles, M. L., Reed, R. A., Schrimpf, R. D., Hutson, J. M., Javanainen, A., Lauenstein, J.-M., Grider, D., Lichtenwalner, D. J., Raman, A., & Arslanbekov, R. (2020). New Insight into Single-Event Radiation Failure Mechanisms in Silicon Carbide Power Schottky Diodes and MOSFETs. In H. Yano, T. Ohshima, K. Eto, S. Harada, T. Mitani, & Y. Tanaka (Eds.), ICSCRM 2019 : 18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (pp. 1066-1073). Trans Tech Publications. Materials Science Forum, 1004. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.1066

JYU-tekijät tai -toimittajat

Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Witulski, Arthur F.; Ball, Dennis R.; Johnson, Robert A.; Galloway, Kenneth F.; Sternberg, Andrew L.; Alles, Michael L.; Reed, Robert A.; Schrimpf, Ronald D.; Hutson, John M.; Javanainen, Arto; et al.

Emojulkaisu: ICSCRM 2019 : 18th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials

Emojulkaisun toimittajat: Yano, Hiroshi; Ohshima, Takeshi; Eto, Kazuma; Harada, Shinsuke; Mitani, Takeshi; Tanaka, Yasunori

Konferenssi:

Konferenssin paikka ja aika: Kyoto, Japan, 29.9-4.10.2019

eISBN: 978-3-0357-1579-8

Lehti tai sarja: Materials Science Forum

ISSN: 0255-5476

eISSN: 1662-9760

Julkaisuvuosi: 2020

Sarjan numero: 1004

Artikkelin sivunumerot: 1066-1073

Kirjan kokonaissivumäärä: 1196

Kustantaja: Trans Tech Publications

Julkaisumaa: Sveitsi

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.1066

Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin

Julkaisukanavan avoin saatavuus: 

Tiivistelmä

Ion-induced leakage current degradation, and single-event burnout may be manifestestations of the same device mechanisms in both silicon carbide power diodes and MOSFETs. In all cases there is a migration of the electrical field from the front body-drain interface to the back epi-drain n+ interface, with a peak exceeding the critical electric field of silicon carbide, causing avalanche generation which enables high short-duration power densities during an approximate 20 psec window after the ion strike. The degradation effect in JBS SiC diodes seems to be independent of the length of the epitaxial region for different voltage-rated diodes.

YSO-asiasanat: säteilyfysiikka; ionisoiva säteily; sähkökentät; elektroniikkakomponentit; diodit; transistorit

Liittyvät organisaatiot

OKM-raportointi: Kyllä

Raportointivuosi: 2020

JUFO-taso: 1