A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Ti Alloyed α-Ga2O3 : route towards Wide Band Gap Engineering (2020)

Barthel, A., Roberts, J., Napari, M., Frentrup, M., Huq, T., Kovács, A., Oliver, R., Chalker, P., Sajavaara, T., & Massabuau, F. (2020). Ti Alloyed α-Ga2O3 : route towards Wide Band Gap Engineering. Micromachines, 11(12), Article 1128. https://doi.org/10.3390/mi11121128

JYU-tekijät tai -toimittajat

Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Barthel, Armin; Roberts, Joseph; Napari, Mari; Frentrup, Martin; Huq, Tahmid; Kovács, András; Oliver, Rachel; Chalker, Paul; Sajavaara, Timo; Massabuau, Fabien

Lehti tai sarja: Micromachines

eISSN: 2072-666X

Julkaisuvuosi: 2020

Volyymi: 11

Lehden numero: 12

Artikkelinumero: 1128

Kustantaja: MDPI

Julkaisumaa: Sveitsi

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.3390/mi11121128

Julkaisun avoin saatavuus: Avoimesti saatavilla

Julkaisukanavan avoin saatavuus: Kokonaan avoin julkaisukanava

Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/73788

Rinnakkaistallenteen verkko-osoite (pre-print): https://arxiv.org/abs/2006.01422

Tiivistelmä

The suitability of Ti as a band gap modifier for alpha-Ga2O3 was investigated, taking advantage of the isostructural alpha phases and high band gap difference between Ti2O3 and Ga2O3. Films of (Ti,Ga)(2)O-3 were synthesized by atomic layer deposition on sapphire substrates, and characterized to determine how crystallinity and band gap vary with composition for this alloy. We report the deposition of high quality alpha-(TixGa1-x)(2)O-3 films with x = 3.7%. For greater compositions the crystalline quality of the films degrades rapidly, where the corundum phase is maintained in films up to x = 5.3%, and films containing greater Ti fractions being amorphous. Over the range of achieved corundum phase films, that is 0% <= x <= 5.3%, the band gap energy varies by similar to 270 meV. The ability to maintain a crystalline phase at low fractions of Ti, accompanied by a modification in band gap, shows promising prospects for band gap engineering and the development of wavelength specific solar-blind photodetectors based on alpha-Ga2O3.

YSO-asiasanat: puolijohteet; ohutkalvot; atomikerroskasvatus; gallium; titaani

Vapaat asiasanat: galliumoksidi; laajakaistaiset puolijohteet

Liittyvät organisaatiot

OKM-raportointi: Kyllä

VIRTA-lähetysvuosi: 2020

JUFO-taso: 1