JYFL-ACCLAB-RADEF_2024-03 Temperature dependence of heavy ion radiation sensitivity of 2nd gen SiC power MOSFETs


Niskanen, Kimmo; Javanainen, Arto; Kettunen, Heikki; Witulski, Arthur; Martinella, Corinna; Sengupta, Arijit; Harris, Phoenix. (2024). JYFL-ACCLAB-RADEF_2024-03 Temperature dependence of heavy ion radiation sensitivity of 2nd gen SiC power MOSFETs. V. 20.4.2024. University of Jyväskylä. https://doi.org/10.23729/796d4a80-9d3d-4225-a9c3-e98ea600f168.


JYU-tekijät: 
  • Yhteyshenkilö (kyllä/ei): Kyllä
  • Yhteyshenkilö (kyllä/ei): Kyllä
  • Yhteyshenkilö (kyllä/ei): Ei

Kaikki tekijät: Niskanen, Kimmo; Javanainen, Arto; Kettunen, Heikki; Witulski, Arthur; Martinella, Corinna; Sengupta, Arijit; Harris, Phoenix

Yhteystiedot: jyfl-acclab-data@jyu.fi

Rahoittajat: Euroopan komissio; Fysiikan laitos; European Space Research and Technology Centre

Oikeudenhaltijat: 

Muut tutkimuksen toteuttamiseen osallistuneet: 


Saatavuus ja tunnisteet

Saatavuustieto: Ladattavissa verkosta (Embargo-päivämäärä: 31.12.2024)

Aineiston julkaisuvuosi: 2024

DOI-tunniste alkuperäisessä julkaisupaikassa: https://doi.org/10.23729/796d4a80-9d3d-4225-a9c3-e98ea600f168


Aineiston kuvailu

Kuvaus: This dataset contains data of Xe-126 irradiation tests of 2nd gen. SiC MOSFETs (CPM2-1200-0080B) at different temperatures. Temperature dependence of leakage current degradation was observed.

Aineiston kieli: englanti

Vapaat asiasanat: silicon carbide
heavy ion irradiation

YSO-asiasanat: ionisoiva säteily; tehoelektroniikka

Tieteenalat : 114 Fysiikka; 213 Sähkötekniikka, elektroniikka, tietojenkäsittelytekniikka

Seurantakohteet: Kiihdytinlaboratorio (Fysiikan laitos PHYS, JYFL) JYFL-ACCLAB; Kiihdytinfysiikka ja subatomäärinen fysiikka (Jyväskylän yliopisto JYU)

Käsitteletkö erityisiä henkilötietoryhmiä tutkimuksessasi?: Ei


Aineistoon liittyvät Converiksessa olevat hankkeet


Viimeisin päivitys 2024-30-10 klo 18:48