A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
SEGR in SiO2-Si3N4 Stacks (2014)
Javanainen, A., Ferlet-Cavrois, V., Bosser, A., Jaatinen, J., Kettunen, H., Muschitiello, M., Pintacuda, F., Rossi, M., Schwank, J. R., Shaneyfelt, M. R., & Virtanen, A. (2014). SEGR in SiO2-Si3N4 Stacks. IEEE transactions on Nuclear Science, 61(4), 1902-1908. https://doi.org/10.1109/TNS.2014.2303493
JYU-tekijät tai -toimittajat
Julkaisun tiedot
Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Javanainen, Arto; Ferlet-Cavrois, Véronique; Bosser, Alexandre; Jaatinen, Jukka; Kettunen, Heikki; Muschitiello, Michele; Pintacuda, Francesco; Rossi, Mikko; Schwank, James R.; Shaneyfelt, Marty R.; et al.
Lehti tai sarja: IEEE transactions on Nuclear Science
ISSN: 0018-9499
eISSN: 1558-1578
Julkaisuvuosi: 2014
Volyymi: 61
Lehden numero: 4
Artikkelin sivunumerot: 1902-1908
Artikkelinumero: 6800102
Kustantaja: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)
Julkaisun kieli: englanti
DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2014.2303493
Julkaisun avoin saatavuus: Ei avoin
Julkaisukanavan avoin saatavuus:
Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/45471
Vapaat asiasanat: modeling; MOS; semi-empirical; Single Event Gate Rupture (SEGR)
Liittyvät organisaatiot
OKM-raportointi: Kyllä
Raportointivuosi: 2014
JUFO-taso: 1