A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
SEGR in SiO2-Si3N4 Stacks (2014)


Javanainen, A., Ferlet-Cavrois, V., Bosser, A., Jaatinen, J., Kettunen, H., Muschitiello, M., Pintacuda, F., Rossi, M., Schwank, J. R., Shaneyfelt, M. R., & Virtanen, A. (2014). SEGR in SiO2-Si3N4 Stacks. IEEE transactions on Nuclear Science, 61(4), 1902-1908. https://doi.org/10.1109/TNS.2014.2303493


JYU-tekijät tai -toimittajat


Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajatJavanainen, Arto; Ferlet-Cavrois, Véronique; Bosser, Alexandre; Jaatinen, Jukka; Kettunen, Heikki; Muschitiello, Michele; Pintacuda, Francesco; Rossi, Mikko; Schwank, James R.; Shaneyfelt, Marty R.; et al.

Lehti tai sarjaIEEE transactions on Nuclear Science

ISSN0018-9499

eISSN1558-1578

Julkaisuvuosi2014

Volyymi61

Lehden numero4

Artikkelin sivunumerot1902-1908

Artikkelinumero6800102

KustantajaInstitute of Electrical and Electronics Engineers

JulkaisumaaYhdysvallat (USA)

Julkaisun kielienglanti

DOIhttps://doi.org/10.1109/TNS.2014.2303493

Julkaisun avoin saatavuusEi avoin

Julkaisukanavan avoin saatavuus

Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX)https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/45471


Vapaat asiasanatmodeling; MOS; semi-empirical; Single Event Gate Rupture (SEGR)


Liittyvät organisaatiot

JYU-yksiköt:


OKM-raportointiKyllä

Raportointivuosi2014

JUFO-taso1


Viimeisin päivitys 2024-08-01 klo 16:24