A1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä
Proton Irradiation-Induced Reliability Degradation of SiC Power MOSFET (2023)

Niskanen, K., Kettunen, H., Söderström, D., Rossi, M., Jaatinen, J., & Javanainen, A. (2023). Proton Irradiation-Induced Reliability Degradation of SiC Power MOSFET. IEEE Transactions on Nuclear Science, 70(8), 1838-1843. https://doi.org/10.1109/tns.2023.3242829

JYU-tekijät tai -toimittajat

Niskanen, Kimmo
Kettunen, Heikki
Söderström, Daniel
Rossi, Mikko
Jaatinen, Jukka
Javanainen, Arto

Julkaisun tiedot

Julkaisun kaikki tekijät tai toimittajat: Niskanen, Kimmo; Kettunen, Heikki; Söderström, Daniel; Rossi, Mikko; Jaatinen, Jukka; Javanainen, Arto

Lehti tai sarja: IEEE Transactions on Nuclear Science

ISSN: 0018-9499

eISSN: 1558-1578

Julkaisuvuosi: 2023

Ilmestymispäivä: 06.02.2023

Volyymi: 70

Lehden numero: 8

Artikkelin sivunumerot: 1838-1843

Kustantaja: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

Julkaisumaa: Yhdysvallat (USA)

Julkaisun kieli: englanti

DOI: https://doi.org/10.1109/tns.2023.3242829

Julkaisun avoin saatavuus: Avoimesti saatavilla

Julkaisukanavan avoin saatavuus: Osittain avoin julkaisukanava

Julkaisu on rinnakkaistallennettu (JYX): https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/85417

Tiivistelmä

The effect of 53 MeV proton irradiation on the reliability of silicon carbide power MOSFETs was investigated. Post-irradiation gate voltage stress was applied and early failures in time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test were observed for irradiated devices. The applied drain voltage during irradiation affects the degradation probability observed by TDDB tests. Proton-induced single event burnouts (SEB) were observed for devices which were biased close to their maximum rated voltage. The secondary particle production as a result of primary proton interaction with the device material was simulated with the Geant4-based toolkit.

YSO-asiasanat: ionisoiva säteily; protonit; elektroniikkakomponentit; transistorit; säteilyfysiikka

Vapaat asiasanat: logic gates; radiation effects; protons; silicon carbide; reliability; stress

Liittyvät organisaatiot

OKM-raportointi: Kyllä

VIRTA-lähetysvuosi: 2023

JUFO-taso: 1